產品介紹

全(quan)自動真密度儀原理

應(ying)用阿基米(mi)德原理—氣體膨脹置換(huan)法，利(li)用小分子直徑的惰性氣體（He）在(zai)一(yi)定條件(jian)下(xia)的玻義爾-馬略(lve)特定律（PV=nRT），通過(guo)測(ce)定(ding)由(you)于樣(yang)品(pin)測(ce)試腔(qiang)放入樣(yang)品(pin)所引(yin)起的(de)樣(yang)品(pin)測(ce)試腔(qiang)氣(qi)體(ti)容(rong)量的(de)減少來(lai)測(ce)定(ding)樣(yang)品(pin)的(de)真實體(ti)積，從(cong)而得到其真密(mi)度，真密(mi)度=質量(liang)/真實體積(ji)。

圖31真(zhen)密(mi)度儀工藝原理(li)流程圖

氣體膨脹(zhang)置換法(fa)是以氣體取代液(ye)體測定樣(yang)品(pin)所排出的體積。此法(fa)排除了浸液(ye)法(fa)對樣(yang)品(pin)溶(rong)解的可(ke)能(neng)性，具(ju)有不損壞樣(yang)品(pin)的優點。因為氣體能(neng)深入樣品(pin)中極(ji)小的(de)(de)(de)孔(kong)隙和表(biao)面的(de)(de)(de)不規則空陷，因此測(ce)(ce)出的(de)(de)(de)樣品(pin)體(ti)積(ji)更(geng)接近(jin)樣品(pin)的(de)(de)(de)真實體(ti)積(ji)，從而可以用來計算樣品(pin)的(de)(de)(de)密(mi)度，測(ce)(ce)試值也更(geng)接近(jin)樣品(pin)的(de)(de)(de)真實密(mi)度。

儀器的測(ce)試(shi)系(xi)統由樣(yang)品(pin)測(ce)試(shi)腔和基(ji)準腔構(gou)成。測(ce)定樣(yang)品(pin)真密度時(shi)，儀器自動(dong)采集(ji)基(ji)準腔的壓(ya)力P₁及體積(ji)V₁并記(ji)錄；將一定未(wei)知體積的樣品V樣(yang)品放入已知體(ti)積V₂的(de)(de)(de)樣(yang)品測試(shi)(shi)腔(qiang)，向樣(yang)品測試(shi)(shi)腔(qiang)注入一定量的(de)(de)(de)氣體并(bing)記錄穩定后的(de)(de)(de)壓力P₂；將樣(yang)品測試腔(qiang)與(yu)基準腔(qiang)連通(tong)并記錄穩定后的壓力(li)P₃，根據平衡穩定后的(de)(de)壓力值和相關已(yi)知的(de)(de)體(ti)積V₁、V₂即可(ke)計算出待測的樣品體積V樣品(pin)，再(zai)由樣品(pin)的(de)質量和體(ti)積計(ji)算出(chu)樣品(pin)的(de)真密度。

儀器特點(dian)

（1）適(shi)應塊狀、粒(li)狀、粉狀、液體等不同樣品測量需要；

（2）自動(dong)重復(fu)測(ce)量狀態可進行重復(fu)運(yun)行；

（3）壓力平衡(heng)時間(jian)可(ke)根據用戶自(zi)行設定，設置靈活；

（4）分析運行一次的(de)時間僅幾分(fen)鐘(zhong)；

（5）對于用戶選擇的(de)循環次(ci)數和定時的(de)清洗(xi)，樣品準備/清洗狀態有脈沖信號(hao)（加壓/減壓）；

（6）自帶RS485、RJ45和(he)微型打(da)印機(ji)(ji)，以(yi)便于把(ba)數(shu)據傳到打(da)印機(ji)(ji)（TMS型(xing)號）或PC上（PNS型號）；

（7）有用戶可選(xuan)的(de)*壓力，可消除分(fen)析樣品變形所帶來的(de)危害；

（8）自(zi)動打印數據報(bao)告（TMS款），包括分析結果的統計，樣品(pin)號和運行條(tiao)件。

新款全自動真密度測定儀全自動真密度儀產品優點

(1) 集成式(shi)模塊(kuai)：電磁閥、傳(chuan)感器、樣品池采(cai)用一(yi)體化設(she)計(ji)，減(jian)少死體積(ji)，結(jie)構緊湊，密封性好；

(2) 溫場均勻技(ji)術(shu)：采(cai)用無管路模(mo)塊(kuai)化設計，環境(jing)溫(wen)(wen)度與模(mo)塊(kuai)溫(wen)(wen)度保持平衡(heng)，氣體溫(wen)(wen)場均勻；

(3) 智(zhi)能算法：壓力智能探測(ce)，流量控制穩(wen)定(ding)，*限(xian)度減小外界氣瓶壓力波動的影(ying)響；

(4) 腳本設計：高級用戶可根據測試需(xu)求(qiu)更改腳(jiao)本，自行(xing)設計操作(zuo)流(liu)程；

(5) 打(da)印功能：（TMS版）設計了測(ce)試結(jie)果輸(shu)出功能，方便用戶(hu)結(jie)果存檔與數據備份，包括電子數據與文檔數據；

(6) 流程指示(shi)：采用C語言開(kai)發的(de)嵌入式軟件，操作流程(cheng)清晰，數據(ju)實時(shi)詳盡；

(7) 24位(wei)采集精度(du)：底層數據采(cai)集采(cai)用24位AD模(mo)塊；

(8) 標樣分析：可提供PVC、鋁、銅(tong)材質進(jin)行密(mi)度標定；

(9) 科(ke)技(ji)外(wai)觀：外觀結構簡(jian)潔流(liu)暢，造型新穎時尚，極富科(ke)技感(gan)。

新款全自動真密度測定儀即用它的(de)(de)(de)(de)爬電(dian)(dian)距離（以(yi)(yi)(yi)mm計）除以(yi)(yi)(yi)34.6的(de)(de)(de)(de)值(zhi)（相當于爬電(dian)(dian)比距20mm/kV,以(yi)(yi)(yi)相間電(dian)(dian)壓計算），允(yun)(yun)許(xu)偏差±5%。所(suo)有(you)的(de)(de)(de)(de)鹽霧噴嘴應(ying)在(zai)使(shi)(shi)用中。通過調樣霧（噴•嘴的(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)(wei)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi):和(he)流速），使(shi)(shi)在(zai)4h內測站的(de)(de)(de)(de)大(da)峰值(zhi)電(dian)(dian)流（每(mei)分(fen)鐘記錄的(de)(de)(de)(de)大(da)值(zhi)）的(de)(de)(de)(de)均(jun)值(zhi)在(zai)100mA?120mA范圍內可以(yi)(yi)(yi)允(yun)(yun)許(xu)有(you)長30min的(de)(de)(de)(de)泄漏電(dian)(dian)流確立(li)時(shi)間，且不包含在(zai)校(xiao)定中。這適用于所(suo)有(you)的(de)(de)(de)(de)試(shi)驗(yan)(yan)(yan)位(wei)(wei)(wei)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)。每(mei)•個試(shi)驗(yan)(yan)(yan)位(wei)(wei)(wei)鈴可以(yi)(yi)(yi)分(fen)別校(xiao)定。或另一種方法，可以(yi)(yi)(yi)在(zai)每(mei)一個試(shi)驗(yan)(yan)(yan)位(wei)(wei)(wei)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)放置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)一個參考(kao)絕緣了-，使(shi)(shi)得所(suo)冇試(shi)驗(yan)(yan)(yan)位(wei)(wei)(wei)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)同(tong)時(shi)并獨、'，地(di)被(bei)校(xiao)定。如果(guo)試(shi)驗(yan)(yan)(yan)位(wei)(wei)(wei)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)是單獨校(xiao)定，校(xiao)定結果(guo)應(ying)被(bei)重復，以(yi)(yi)(yi)確保初(chu)始位(wei)(wei)(wei)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)霧的(de)(de)(de)(de)修IE不會影(ying)響鄰(lin)近的(de)(de)(de)(de)試(shi)驗(yan)(yan)(yan)位(wei)(wei)(wei)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)。相同(tong)設計的(de)(de)(de)(de)試(shi)品應(ying)在(zai)一起評估(gu)。試(shi)驗(yan)(yan)(yan)報告中應(ying)注(zhu)明和(he)記錄閃絡和(he)跳閘的(de)(de)(de)(de)次數。

當兩(liang)個(ge)試(shi)(shi)樣如(ru)下時(shi)，a）無起痕發生(sheng)（使(shi)(shi)用(yong)IkV或更(geng)高(gao)直(zhi)流電壓的兆歐表沿(yan)可疑(yi)痕跡檢查。電極間(jian)(jian)隔5mm?10mm。如(ru)電阻小于(yu)2MQ,則(ze)判(pan)定不合(he)格(ge)）；b）對于(yu)復合(he)絕緣子,蝕損深(shen)度小于(yu)3mm,且(qie)不能(neng)(neng)到達芯體（當適用(yong)時(shi)）；c）對于(yu)樹脂絕緣子,蝕損深(shen)度小于(yu)3mm；d）傘、傘套或者界面(mian)未發生(sheng)擊穿。盡管本標準中描述的幾種起痕與蝕損試(shi)(shi)驗(yan)(yan)方法在(zai)文(wen)獻中可能(neng)(neng)經常被稱為“老(lao)化試(shi)(shi)驗(yan)(yan)"，但指出(chu)它們在(zai)一定意義上不是加速老(lao)化試(shi)(shi)驗(yan)(yan)很重(zhong)要。因為這些(xie)試(shi)(shi)驗(yan)(yan)既不能(neng)(neng)模(mo)擬確切的降低實際使(shi)(shi)用(yong)壽命的條件，也(ye)不能(neng)(neng)通(tong)過短時(shi)間(jian)(jian)的加速給出(chu)一個(ge)壽命的等(deng)伉試(shi)(shi)驗(yan)(yan)…而所使(shi)(shi)用(yong)的持續的、循環(huan)的或組(zu)合(he)的應力，是要試(shi)(shi)圖(tu)努力發現可能(neng)(neng)危及絕緣子運行性能(neng)(neng)的潛(qian)在(zai)薄弱點。這些(xie)相(xiang)關(guan)的試(shi)(shi)驗(yan)(yan)（9.3.3,附(fu)錄(lu)A,附(fu)錄(lu)B）好被描為篩選試(shi)(shi)驗(yan)(yan)